晶體管超音頻感應(yīng)淬火設(shè)備加熱電源

        晶體管超音頻感應(yīng)淬火設(shè)備加熱電源是指頻率在lo～lookHz、采用新型晶體管組成逆變電路的電源。IGBT晶體管（絕緣柵雙極晶體 管）是具有代表性的晶體管。IGBT晶體管具備MOS器件和雙極型器件的優(yōu)點(diǎn)：通態(tài)電壓低，高輸入阻抗，開關(guān)速度快和通流能力強(qiáng)等。采用這種器件構(gòu)成的逆變電路電源，稱為IGBT超音頻感應(yīng)加熱電源。 IGBT并聯(lián)逆變式超音頻感應(yīng)淬火設(shè)備加熱電源

        (1)電源電路的基本結(jié)構(gòu)IGBT并聯(lián)逆變超音頻感應(yīng)淬火設(shè)備電源電路結(jié)構(gòu)。與晶閘管并聯(lián)逆變中 頻電源電路結(jié)構(gòu)相似。主要區(qū)別是逆變電路開關(guān)器件 V1～V4采用了IGBT器件而不是晶閘管，但其功能是相似的。每只IGBT器件均串聯(lián)一只二極管VD1～VD4。因?yàn)镮GBT器件不能 承受反壓，必須串聯(lián)二極管承擔(dān)反向阻斷功能。

        (2)電路的工作原理其工作原理與晶閘管并聯(lián)逆變中頻電源相類似，主要區(qū)別是IGBT器件的開關(guān)功能與晶閘管不同?，F(xiàn)將IGBT的結(jié)構(gòu)與開關(guān)原理介紹如下。IGBT的基本結(jié)構(gòu)、電氣圖彤符號(hào)及等效電路。IGBT可以看成是由輸入部分MOSFET管和輸出部分PNP三極管組成的半導(dǎo)體器件，或者是一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的PNP晶體管。當(dāng)對(duì)IGBT器件柵極施加正向電壓時(shí)，柵極下方的P型反型成為N型導(dǎo)電溝道，MOSFET導(dǎo)通，電子電流進(jìn)入N層，給PNP晶體管提供正向基極電流，IGBT導(dǎo)通，反之，向柵極施加反向電壓，導(dǎo)電溝道消失，PNP晶體管失去基極驅(qū)動(dòng)電流，IGBT關(guān)斷。柵極正、反向電壓由專門配備的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)提供。以上*是IGBT的簡(jiǎn)要工作原理，詳情請(qǐng)查閱有關(guān)專業(yè)文獻(xiàn)。