半橋逆變器實(shí)際上也是由兩個(gè)單端正激式變換電路組合而成，其中，一個(gè)橋臂由兩個(gè)特性相同、容量相等的電容器承擔(dān)，每個(gè)電容器承受112的直流母線電壓，另一橋臂由兩個(gè)受脈寬調(diào)制（ PWM）信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體功率開關(guān)管承擔(dān)，故稱半橋變換器，即Half-Bridge Converters。控制功率器件開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)互補(bǔ)，相差180。

    兩個(gè)PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間留有死壓時(shí)間，防止信號(hào)擾動(dòng)時(shí)導(dǎo)致兩個(gè)功率開關(guān)器件同時(shí)導(dǎo)通，造成器件損壞及逆變失敗。

　　C2的均壓和電荷泄放電阻，并確保Ri =Rz，Cl一C2，制造過程中應(yīng)對(duì)上述四個(gè)元件進(jìn)行檢測(cè)，挑選配對(duì)使用。功率開關(guān)器件通常在高頻加熱電源中使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET及絕絳