感應(yīng)加熱設(shè)備可控硅中頻裝置之所以得到迅速發(fā)展，首先是由于它的變頰披率較中頻發(fā)電機高出許多；其次是霉仆在感應(yīng)加熱過程巾導(dǎo)磁率、電阻率，改變引起負載變化肘，能自動改變頻率，使變頻器始終工作在諧振狀態(tài)，印在*佳狀態(tài)下工作，而不像中頻發(fā)電機需補加電容來維持*佳工作狀態(tài)；此外，還有體積小、節(jié)約材料、占地面積小、噪音小、安裝簡便等許多優(yōu)點，因而有取代中頻發(fā)電機的趨勢。

　　感應(yīng)加熱設(shè)備可控硅中頻裝置的頻率變化范圍也較中頻發(fā)電機更寬。頻率越低變頻較易，當超過10赫后則較困難，下限頻率200-500赫茲，而上限可達20~50千赫。為了填補10～100千赫這段頻率的空白，提供高效率的變額器，各國都存進行研究。1973年法國首先研制出50千赫25kW的可控硅變頻器，我國西安電爐研究所不久前亦研制出頻率為30—50千赫功率為100—60千瓦的可控硅變頻器，為四化作出了貢獻。