內(nèi)孔感應(yīng)加熱晶體二檻管義叫半導(dǎo)體二槭管，由千具有體積小，結(jié)構(gòu)簡單，使用壽命睦，不需要燈絲加熱等一系到優(yōu)點(diǎn)，近年來在高頻設(shè)備上已逐步取代了真空=極管成充氣管，有的已全部取代。

　　內(nèi)孔感應(yīng)加熱在半導(dǎo)體材料硅或鍺的單品體巾，由于原予的熱運(yùn)動(dòng)，使其外層電子自晶體共價(jià)鍵中掙脫而成為自由電子，跑掉電子的地方便成為空穴。在純硅或鋪中存在著數(shù)量相等的自由電子和空穴。

　　內(nèi)孔感應(yīng)加熱若在純單晶硅或鍺中摻入微量的冊(cè)、銦、鎵等元素，使之產(chǎn)生大量的空穴，這*是P型半導(dǎo)體；而摻人磷、砷、銻等元素，使之產(chǎn)生大量的自由電子，這*是N型半導(dǎo)體。把P型與N型半導(dǎo)體通過一定的工藝過程連結(jié)在一起，*可制成羋導(dǎo)體=極管。

　　內(nèi)孔感應(yīng)加熱半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電原理。在外電場(chǎng)作用下，空穴（帶正電）向負(fù)極移動(dòng)，電子（帶負(fù)電）則向正極移動(dòng)，這樣使空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變得很窄，即正向電阻很小，電流將通過PN結(jié)由流動(dòng)。若p區(qū)接負(fù)極而/N區(qū)接正極時(shí)，空穴和屯子移動(dòng)方向相反，空間電荷區(qū)（PN結(jié)）變得報(bào)寬，反向電兒急劇增大。這*是半導(dǎo)體晶體二極管尊方向?qū)?，弗在電路中完成整流任?wù)的基本原理。一般晶體二極僻允許汝世的電流不大，而硅二投管則可達(dá)效百安。